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DMN10H220LVT-13  与  BSL373SN H6327  区别

型号 DMN10H220LVT-13 BSL373SN H6327
唯样编号 A-DMN10H220LVT-13 A-BSL373SN H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 车规
描述 MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TSOT-23 PG-TSOP6-6
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 1.87A(Ta) -
驱动电压 4.5V,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 1.67W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 220mΩ@1.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 401 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.3 nC @ 10 V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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BSL373SNH6327XTSA1_PG-TSOP6-6

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